技術(shù)原理

波分復(fù)用（WDM）

核心機(jī)理：          
通過(guò)不同波長(zhǎng)光載波在單根光纖中并行傳輸，提升容量。主要分為：

粗波分復(fù)用（CWDM）：波長(zhǎng)間隔20nm（1270~1610nm），適用于城域網(wǎng)接入層，成本低但信道數(shù)少（≤18波）。

密集波分復(fù)用（DWDM）：波長(zhǎng)間隔0.4~1.6nm（C/L波段），支持160波以上，用于骨干網(wǎng)擴(kuò)容。

關(guān)鍵器件原理：

陣列波導(dǎo)光柵（AWG）：基于多徑干涉與羅蘭圓聚焦原理，通過(guò)等差陣列波導(dǎo)長(zhǎng)度差（ΔL）實(shí)現(xiàn)相位差分離波長(zhǎng)，滿足  的干涉條件。

薄膜濾波器（TFF）：多層介質(zhì)膜選擇性反射/透射特定波長(zhǎng)，但插損高（~4.5dB）、溫漂大（0.05nm/℃）。

時(shí)分復(fù)用（OTDM）

原理：將低速電信號(hào)調(diào)制成超短光脈沖，經(jīng)不同時(shí)延合并為高速信號(hào)。關(guān)鍵技術(shù)包括：

超短脈沖光源：鎖模光纖激光器（脈寬<3ps）或DFB激光器+電吸收調(diào)制器（EAM）組合。

全光解復(fù)用：基于非線性光學(xué)環(huán)鏡（NOLM）或電光調(diào)制器實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)開(kāi)關(guān)。

模分復(fù)用（MDM）

少模光纖傳輸：利用光纖中正交模式（如LP01、LP11）獨(dú)立傳輸數(shù)據(jù)。

模式耦合器：通過(guò)非對(duì)稱(chēng)波導(dǎo)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)模式轉(zhuǎn)換，耦合損耗需<1.5dB。

關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)：模式串?dāng)_抑制與接收端模式解耦。

正交頻分復(fù)用（OFDM）

光域適配：將電域OFDM映射至光載波，提升頻譜效率40%。

調(diào)制方式：采用IQ調(diào)制器生成M階QAM信號(hào)，結(jié)合DSP補(bǔ)償光纖色散。

產(chǎn)品分類(lèi)與技術(shù)指標(biāo)

按復(fù)用類(lèi)型分類(lèi)

按集成方式分類(lèi)

分立式：TFF+環(huán)形器組合，成本低但體積大（如傳統(tǒng)CWDM模塊）。

平面波導(dǎo)集成：

硅基AWG：220nm SOI晶圓刻蝕，干法刻蝕側(cè)壁陡直度>88°。

聚合物EDG：納米壓印工藝提升衍射效率至85%。

混合集成：AWG與DFB激光器共封，減少光纖跳線損耗（如索爾思光引擎）。

前沿技術(shù)突破

硅光子集成

高密度波導(dǎo)：氮化硅（Si?N?）微環(huán)諧振腔（MRR）Q值>1×10?，調(diào)諧效率0.15nm/mW，支持1.6T CPO光引擎。

3D堆疊：TSV垂直互連實(shí)現(xiàn)光引擎與交換芯片（ASIC）間距≤10μm，功耗降至5pJ/bit。

新材料應(yīng)用

鈮酸鋰薄膜（LNOI）：電光系數(shù)是硅的30倍，調(diào)制帶寬>100GHz，突破硅基帶寬瓶頸。

碳化硅襯底：熱導(dǎo)率490W/mK（石英4倍），用于AWG抑制熱透鏡效應(yīng)。

智能調(diào)控技術(shù)

AI輔助波長(zhǎng)調(diào)諧：深度學(xué)習(xí)算法實(shí)時(shí)補(bǔ)償硅光AWG溫漂，波長(zhǎng)穩(wěn)定性達(dá)±0.001nm。

量子點(diǎn)激光器集成：可調(diào)諧范圍>40nm，替代外部激光器解決CPO光源耦合難題。

CPO共封裝架構(gòu)

光電協(xié)同設(shè)計(jì)：

可插拔CPO：英偉達(dá)方案實(shí)現(xiàn)光引擎與ASIC電氣直連，能效2.1pJ/bit。

全集成CPO：博通3.2T方案采用硅光+TSV，液冷散熱成本降40%。

光纖復(fù)用技術(shù)演進(jìn)路徑與產(chǎn)業(yè)需求

隨著單波100G向400G/800G演進(jìn)，復(fù)用技術(shù)成為突破香農(nóng)極限的核心手段，各方案產(chǎn)業(yè)化成熟度如下：

制造建議：WDM/PDM組合方案仍是當(dāng)前產(chǎn)線主力（占比80%），工廠需重點(diǎn)布局AWG晶圓加工與偏振分束器(PBS)鍍膜工藝。

傳統(tǒng)波分復(fù)用器件缺陷與替代必要性

四類(lèi)傳統(tǒng)器件技術(shù)瓶頸

薄膜濾波器(TFF)：

體積≥20×20×5mm³，無(wú)法集成硅光引擎

多層鍍膜良率僅65%（膜厚誤差>±0.5nm導(dǎo)致插損+1dB）

其中Z-BLOCK（也稱(chēng)為Z-Block合光器件）是光通信領(lǐng)域中的一種關(guān)鍵無(wú)源器件，主要用于波分復(fù)用（WDM）系統(tǒng)中的光信號(hào)合成與分離。其核心功能是實(shí)現(xiàn)多波長(zhǎng)光信號(hào)的合波/分波操作，尤其適用于數(shù)據(jù)中心、高速光模塊等場(chǎng)景。

Z-BLOCK技術(shù)原理與工作機(jī)理

基于薄膜濾波片的分光原理

Z-BLOCK由多層介質(zhì)薄膜濾波片（TFF）堆疊構(gòu)成，每層濾光片針對(duì)特定波長(zhǎng)設(shè)計(jì)。

當(dāng)復(fù)合光信號(hào)入射時(shí)，不同波長(zhǎng)的光在濾光片界面發(fā)生選擇性透射或反射：

透射：目標(biāo)波長(zhǎng)穿過(guò)當(dāng)前濾光片進(jìn)入對(duì)應(yīng)通道；

反射：非目標(biāo)波長(zhǎng)反射至下一層濾光片繼續(xù)分離。

例如，在800G光模塊中，需分離8個(gè)波長(zhǎng)（如Lan-WDM波段），Z-BLOCK需集成8組薄膜濾光片，每層精確控制波長(zhǎng)間隔（通常±0.8nm）。

光路轉(zhuǎn)折設(shè)計(jì)

為適配緊湊封裝（如QSFP28），Z-BLOCK內(nèi)置轉(zhuǎn)折棱鏡（Reflective Prism），將水平入射光轉(zhuǎn)折90°垂直輸出，避免與相鄰光學(xué)元件（如磁光隔離器）的空間沖突。

棱鏡表面鍍高反射膜（如金或鋁），反射率>99.5%，減少插入損耗。

核心結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

Z-BLOCK通常為長(zhǎng)方體玻璃塊結(jié)構(gòu)，包含以下關(guān)鍵組件：

濾光片堆棧

采用離子束濺射工藝沉積數(shù)十層Ta?O?/SiO?介質(zhì)膜，膜厚精度達(dá)±0.1nm，確保窄帶濾波特性（帶寬≤0.8nm）。

自準(zhǔn)直光路

輸入端集成準(zhǔn)直透鏡系統(tǒng)，將光纖輸入的發(fā)散光轉(zhuǎn)換為平行光，減少因光束發(fā)散導(dǎo)致的串?dāng)_。

基板集成封裝

所有光學(xué)元件（Z-BLOCK、棱鏡、透鏡）通過(guò)無(wú)源耦合工藝固定在單一玻璃基板上，提升機(jī)械穩(wěn)定性，抗振動(dòng)性能優(yōu)于分立式AWG芯片。

性能優(yōu)勢(shì)與局限性

優(yōu)勢(shì)

局限性

體積較大：每增加一個(gè)通道需疊加濾光片，導(dǎo)致器件長(zhǎng)度線性增長(zhǎng)（8通道Z-BLOCK長(zhǎng)約15mm），限制超緊湊模塊設(shè)計(jì)。

插損累積：多級(jí)反射引入額外損耗（8通道典型插損~4.5 dB），高于AWG方案（~2.8 dB）。

產(chǎn)業(yè)應(yīng)用與演進(jìn)

當(dāng)前主流場(chǎng)景

數(shù)據(jù)中心光模塊：100G/400G FR4/FR8模塊中，Z-BLOCK因低溫漂特性占據(jù)70%份額（2025年預(yù)測(cè)降至30%，被AWG替代）。

5G前傳網(wǎng)絡(luò)：CWDM粗波分系統(tǒng)（通道間隔20nm）中成本優(yōu)勢(shì)顯著，單器件價(jià)格<$10。

技術(shù)演進(jìn)方向

混合集成：與硅光芯片耦合（如索爾思方案），將Z-BLOCK作為“光學(xué)引擎”嵌入COB封裝，減少光纖跳線損耗。

材料革新：采用碳化硅（SiC）襯底替代玻璃，熱導(dǎo)率提升4倍（490 W/mK），降低高功率下的熱透鏡效應(yīng)。

不可替代的精密光學(xué)組件

Z-BLOCK憑借低串?dāng)_、高溫度穩(wěn)定性的核心優(yōu)勢(shì)，仍在特定場(chǎng)景（如高溫工業(yè)環(huán)境、高功率激光系統(tǒng)）保持競(jìng)爭(zhēng)力。但其未來(lái)將受AWG技術(shù)擠壓，需通過(guò)三維光路折疊（如波導(dǎo)集成棱鏡）和超表面濾光片（Metasurface TFF）實(shí)現(xiàn)小型化突破。

光纖光柵(FBG)：

信道數(shù)≤16（紫外寫(xiě)入精度受限）

溫度敏感性0.01nm/℃，需TEC控溫增加功耗

體光柵(VBG)：

手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)工時(shí)>30分鐘/件，人力成本占比40%

衍射效率衰減速率>5%/年（膠合層老化）

自由空間型：

裝配公差要求±0.5μm（超出常規(guī)貼片機(jī)精度）

平面波導(dǎo)集成化替代路徑

核心優(yōu)勢(shì)：

晶圓級(jí)制造（單次流片≥500芯片）

單片集成度提升（AWG+調(diào)制器+探測(cè)器）

成本下降規(guī)律：每代工藝節(jié)點(diǎn)（如130nm→90nm）

陣列波導(dǎo)光柵(AWG) —— DWDM主力方案

AWG的核心原理與結(jié)構(gòu)

工作機(jī)理

多波長(zhǎng)分波/合波
AWG基于光的多徑干涉與羅蘭圓聚焦原理實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)路由。輸入復(fù)合光信號(hào)經(jīng)輸入星形耦合器（平板波導(dǎo)）分散至陣列波導(dǎo)，陣列波導(dǎo)長(zhǎng)度呈等差級(jí)數(shù)（長(zhǎng)度差ΔL），導(dǎo)致不同波長(zhǎng)光波產(chǎn)生相位差。

在輸出星形耦合器中，相位差引發(fā)干涉聚焦，不同波長(zhǎng)被分離至特定輸出波導(dǎo)。

數(shù)學(xué)關(guān)系：焦點(diǎn)位置滿足 （為波導(dǎo)有效折射率，為衍射級(jí)數(shù)），波長(zhǎng)間隔由ΔL和羅蘭圓半徑?jīng)Q定。

核心結(jié)構(gòu)組件

AWG vs. 傳統(tǒng)方案（Z-Block）的性能對(duì)比

AWG設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)與優(yōu)化路徑

技術(shù)瓶頸

串?dāng)_控制：信道間隔縮小至200GHz時(shí)串?dāng)_達(dá)-10 dB（400GHz時(shí)為-20 dB）

解決方案：

奇偶波長(zhǎng)分離：梳狀濾波器（MZI+MMI）將波長(zhǎng)分組，降低串?dāng)_。

級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)：一級(jí)高分辨率AWG + 二級(jí)低分辨率AWG，拓展自由光譜范圍（FSR）。

偏振敏感性：硅基AWG因高Δn產(chǎn)生偏振依賴(lài)

優(yōu)化方案：

陣列波導(dǎo)嵌入半波片補(bǔ)償。

聚合物材料降低雙折射。

工藝與可靠性

耦合失效風(fēng)險(xiǎn)：AWG與PCB粘接后溫循（-40~85℃）易開(kāi)裂

設(shè)計(jì)規(guī)范：

PCB覆銅區(qū)網(wǎng)孔直徑需為0.1~0.15mm（φ0.5mm致AWG破裂）

剪切力>5kg（滿足MIL-STD-883標(biāo)準(zhǔn)）

產(chǎn)業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景與演進(jìn)方向

數(shù)據(jù)中心光模塊

400G/800G FR4/FR8模塊：AWG替代Z-Block（2025年滲透率70%），單芯片價(jià)值1.6-3.2美元。

5G前傳網(wǎng)絡(luò)：CWDM系統(tǒng)（通道間隔20nm）中AWG單價(jià)<$10，成本優(yōu)勢(shì)顯著。

前沿演進(jìn)

硅光集成

混合集成：索爾思將AWG作為“光學(xué)引擎”嵌入COB封裝，減少光纖跳線損耗。

CPO技術(shù)：天孚通信1.6T硅光引擎配合CPO，能效≤5pJ/bit。

超緊湊設(shè)計(jì)

微環(huán)諧振器（MRR）級(jí)聯(lián)：提升分辨率并擴(kuò)展FSR，但需熱調(diào)諧穩(wěn)定性

AWG的核心價(jià)值與未來(lái)趨勢(shì)

AWG憑借高集成度、低溫漂、低成本特性，正成為數(shù)據(jù)中心光模塊的主流解復(fù)用方案。超融合架構(gòu)（AWG+MRR+AI調(diào)優(yōu)）實(shí)現(xiàn)單模塊1.6T速率，支撐英偉達(dá)GBXXX超算集群。

量產(chǎn)參數(shù)：

信道數(shù)：48通道（C波段±10nm）

插損：≤4dB（90nm SOI工藝）

串?dāng)_：<-30dB（波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度<2nm RMS）

工廠工藝關(guān)鍵點(diǎn)：

干法刻蝕：采用HBr/O?等離子體優(yōu)化波導(dǎo)側(cè)壁陡直度（傾角>88°）

退火工藝：1050℃氫氣環(huán)境修復(fù)缺陷，降低傳輸損耗至0.03dB/cm

刻蝕衍射光柵(EDG) —— CWDM性?xún)r(jià)比之選

數(shù)據(jù)中心應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：

4通道插損<1.5db（對(duì)比awg>2.5dB）

溫度不敏感性（波長(zhǎng)漂移<0.005nm/℃）

量產(chǎn)痛點(diǎn)與改進(jìn)：

衍射效率低（原工藝55% → 納米壓印提升至85%）

采用SiO?/Ta?O?雙材料波導(dǎo)，降低折射率差至0.5%抑制高階模

微環(huán)諧振腔陣列(MRR) —— 高密度集成方向

微環(huán)諧振腔是多波長(zhǎng)對(duì)量子關(guān)聯(lián)產(chǎn)生和輸出的器件基礎(chǔ)。光學(xué)微腔的色散決定了微腔中能否產(chǎn)生關(guān)聯(lián)光子對(duì), 諧振特性決定了微腔中關(guān)聯(lián)光子對(duì)的產(chǎn)生和輸出速率, 微腔的自由光譜范圍決定了產(chǎn)生關(guān)聯(lián)光子對(duì)的間隔以及個(gè)數(shù)。

MRR的核心優(yōu)勢(shì)與基礎(chǔ)限制

MRR的一個(gè)優(yōu)勢(shì)是可以做成可調(diào)諧的濾波器，在微環(huán)上加上電極加熱即可實(shí)現(xiàn)諧振波長(zhǎng)的可調(diào)諧。通過(guò)MRR的級(jí)聯(lián)也可以實(shí)現(xiàn)較少波長(zhǎng)的波分復(fù)用/解復(fù)用器。

高集成度優(yōu)勢(shì)

緊湊結(jié)構(gòu)：SOI波導(dǎo)芯層與包層折射率差（Δn > 40%）使微環(huán)半徑可縮至 3–5 μm（對(duì)比傳統(tǒng)材料>100 μm），實(shí)現(xiàn) μm級(jí)器件尺寸，適合高密度光子集成。

高Q值特性：優(yōu)化后的氮化硅（Si?N?）微環(huán)Q值> 1×10?（半徑3 μm），光子壽命延長(zhǎng)至ns級(jí)，提升傳感與濾波精度。

環(huán)境敏感性瓶頸

溫度漂移：硅的熱光系數(shù)（1.8×10?? K?¹）導(dǎo)致諧振波長(zhǎng)漂移約 0.1 nm/℃，需主動(dòng)溫控。

工藝容差低：

波導(dǎo)寬度偏差±5 nm → 諧振峰偏移>0.5 nm。

側(cè)壁粗糙度（RMS >2 nm）→ 散射損耗增加，Q值下降30%。

結(jié)構(gòu)創(chuàng)新：提升工藝魯棒性與光譜性能

垂直耦合結(jié)構(gòu)

設(shè)計(jì)原理：采用多層波導(dǎo)堆疊（如Si/Si?N?），通過(guò)倏逝場(chǎng)耦合替代水平耦合，降低對(duì)準(zhǔn)精度要求（容差±0.5 μm → ±1.5 μm）。

驗(yàn)證案例：雙環(huán)垂直耦合結(jié)構(gòu)串?dāng)_<-40 dB，插損<1 dB，適用于多通道WDM系統(tǒng)。

級(jí)聯(lián)拓?fù)鋬?yōu)化

十級(jí)級(jí)聯(lián)微環(huán)將FSR擴(kuò)展至40 nm，3 dB帶寬壓縮至0.239 nm，但良率降至65%以下。

熱調(diào)諧與低功耗控制方案

集成加熱器

主流方案：

TiN電阻加熱器：調(diào)諧效率 0.15 nm/mW，響應(yīng)時(shí)間~ms級(jí)。

硅摻雜PIN二極管：載流子注入調(diào)諧（速率GHz），但引入額外插損~3 dB。

突破性設(shè)計(jì)：

腔體SOI熱隔離：在波導(dǎo)下方刻蝕空氣腔（深度3 μm），減少熱擴(kuò)散，功耗降至 2.1 mW/π相移（對(duì)比傳統(tǒng)方案20 mW）。

ITiO柵極驅(qū)動(dòng)：利用鈦摻雜氧化銦的電場(chǎng)調(diào)諧（589 pm/V），近零靜態(tài)功耗（適用于低功耗WDM系統(tǒng)）。

溫度不敏感設(shè)計(jì)

游標(biāo)效應(yīng)補(bǔ)償：雙環(huán)級(jí)聯(lián)（半徑差ΔR≈0.5%）使溫度漂移< 0.023 dB/K，免除TEC控溫。

混合材料集成：硅波導(dǎo)+聚合物包層（負(fù)熱光系數(shù)），實(shí)現(xiàn)被動(dòng)溫度補(bǔ)償。

制造工藝關(guān)鍵點(diǎn)與良率提升

核心工藝控制

光刻精度：

電子束光刻（EBL）替代DUV：環(huán)圓度誤差< ±3 nm，抑制諧振峰分裂。

納米壓?。∟IL）：降低EDG器件成本30%，但套刻精度需<50 nm。

干法刻蝕優(yōu)化：

HBr/O?等離子體工藝：波導(dǎo)側(cè)壁陡直度>88°，粗糙度<1 nm RMS。

深度控制：硅層刻蝕深度偏差需<5%，防止耦合效率波動(dòng)。

封裝與可靠性

ALD密封技術(shù)：原子層沉積Al?O?隔絕水氧，器件失效概率< 10?? FIT。

應(yīng)力匹配設(shè)計(jì)：環(huán)氧樹(shù)脂封裝膠熱膨脹系數(shù)（CTE）需匹配硅（2.6 ppm/K），避免溫循開(kāi)裂。

前沿應(yīng)用與發(fā)展趨勢(shì)

通信與傳感

1.6T CPO光引擎：MRR陣列與硅光調(diào)制器單片集成，能耗≤ 5 pJ/bit（英偉達(dá)GB200架構(gòu)）。

高靈敏度生物傳感：

石墨烯-金復(fù)合涂層：折射率靈敏度達(dá) 730 nm/RIU，檢測(cè)限2.8×10?? RIU。

多環(huán)游標(biāo)效應(yīng)：前列腺抗原（PSA）檢測(cè)靈敏度提升6.5倍[citation:15]。

非線性光學(xué)擴(kuò)展

四波混頻（FWM）：高Q微環(huán)（Q>10?）中泵浦光轉(zhuǎn)換效率> -20 dB，用于量子光源生成。

光頻梳生成：氮化硅微環(huán)在C波段產(chǎn)生>100條梳線，線寬<100 kHz（光計(jì)算與精密測(cè)量）。

MRR技術(shù)正向 多功能集成（濾波+調(diào)制+傳感）、超低功耗（零偏置調(diào)諧）、三維堆疊 演進(jìn)，但仍需突破：

工藝標(biāo)準(zhǔn)化：耦合間隙（~150 nm）與波導(dǎo)尺寸的晶圓級(jí)均勻性控制（CD誤差<3%）。

混合集成瓶頸：硅光芯片與電子ASIC的3D互連（間距≤10 μm）熱管理難題。

成本競(jìng)爭(zhēng)力：8英寸SOI晶圓流片成本>5000美元，需轉(zhuǎn)向硅基氮化硅平臺(tái)降本30%。

技術(shù)突破：

Q值>1×10?（氮化硅材料，3μm半徑環(huán)）

調(diào)諧效率：0.15nm/mW（集成TiN加熱器）

產(chǎn)線良率提升措施：

電子束光刻替代DUV：環(huán)圓度誤差<±3nm（降低諧振峰分裂）

原子層沉積(ALD)封裝：隔絕水氧保障長(zhǎng)期穩(wěn)定性（失效概率<10?? FIT）

產(chǎn)線升級(jí)實(shí)施建議

設(shè)備改造優(yōu)先級(jí)

刻蝕機(jī)：升級(jí)ICP等離子源（射頻功率精度±1%）

鍍膜機(jī)：引入離子束濺射(IBS)替代磁控濺射（膜厚均勻性±0.3%）

光刻機(jī)：配置納米壓印模塊（NIL）降低EDG生產(chǎn)成本30%

材料選型指南

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)

波長(zhǎng)精度：可調(diào)激光源+光學(xué)頻譜分析儀(OSA)校準(zhǔn)（參考ITU-T G.694.1）

可靠性：85℃/85%RH雙85測(cè)試1000小時(shí)，插損變化≤0.2dB

光子是未來(lái)的應(yīng)用重點(diǎn)技術(shù)

20世紀(jì)以來(lái), 經(jīng)典信息科技在信息獲取、處理和傳遞方面取得了巨大進(jìn)展, 為人類(lèi)社會(huì)的發(fā)展提供了重要保障. 隨著量子物理研究的深入, 量子信息技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生, 將量子力學(xué)的基本原理和資源(如態(tài)疊加、不可克隆、不確定性和量子糾纏等)融入信息科技, 發(fā)展出包括量子精密測(cè)量、量子計(jì)算、量子通信等在內(nèi)的多項(xiàng)技術(shù)。

這些技術(shù)有望在測(cè)量精度、信息處理能力、傳輸容量和信息安全等方面超越經(jīng)典信息技術(shù)的極限. 在量子信息技術(shù)中, 其核心關(guān)鍵是量子信息載源的物理實(shí)現(xiàn). 近年來(lái), 在核磁共振、冷原子、超導(dǎo)線路和量子光學(xué)等系統(tǒng)中提出了多種量子信息載源方案。其中, 光子因其無(wú)靜止質(zhì)量、良好相干性、低損耗和高速傳輸?shù)葍?yōu)勢(shì), 成為高性能量子信息載源的主要候選者。

參考文章： AIOT大數(shù)據(jù)

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