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794.7nm單模VCSEL發射激光器 PL-VCSEL-0795-1-A81-TO46 型 794.7 納米垂直腔面發射激光器是一款垂直出光的、通過金屬有機氣相外延（MOVPE）方法生長的 GaAsP/AlGaAs 單模半導體激光器。其芯片采用 TO5 封裝。可通過調節激光電流和溫度來實現波長調諧。

976nm DBR激光二極管 976nm DBR系列高性能邊緣發射激光二極管基于Photodigm優良的單片單頻砷化鎵（GaAs）激光技術。它提供單空間模式光束，并具有鈍化刻面以提高可靠性。976nm系列DBR器件用于光學相干斷層掃描（OCT）和其他生物醫學成像和傳感應用。

785nm DBR激光二極管 785nm分布布拉格反射（DBR）系列高性能邊發射激光二極管，基于筱曉光子*的單片集成單頻砷化鎵（GaAs）激光技術。該系列激光二極管可輸出單空間模式光束，且采用鈍化端面設計以確保可靠性。785nm系列DBR器件適用于拉曼光譜應用領域

850nm單模光纖耦合VCSEL激光二極管（不帶TEC） PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直發射 MOVPE 生長的 GaAsP/AlGaAs 單模二極管激光器。 波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和熱敏電阻。我們的 850 nm 單模 VCSEL 專為高速、高性能通信應用而設計。

635nm激光二極管(TO56 最大電流150mA)|生物醫學 用于635nm波長的脊形波導激光二極管