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  • 850nm 10Gbps GaAs PD Chip φ60um（芯片）

    850nm 10Gbps GaAs PD Chip φ60um（芯片） 850nm GaAs PIN 高速光探測(cè)器芯片

    更新時(shí)間：2025-12-23
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  • 850-910nm 56Gbaud PD Chip φ32um（芯片）

    850-910nm 56Gbaud PD Chip φ32um（芯片） 850nm GaAs PIN 高速光探測(cè)器芯片

    更新時(shí)間：2025-12-23
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • 850nm 25Gbps GaAs PD Chip φ40um（芯片）

    850nm 25Gbps GaAs PD Chip φ40um（芯片） 850nm GaAs PIN 高速光探測(cè)器芯片

    更新時(shí)間：2025-12-23
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  • PD-InGaAs-300/2600-TO461.0~2.6 um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管

    1.0~2.6 um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管 光敏面直徑：Φ0.3 mm；工作波長(zhǎng)：波段 1.0~2.6 um；峰值波長(zhǎng)：2.2 um；峰值量子效率：≥70%；峰值響應(yīng)率：≥1.2 A/W

    更新時(shí)間：2025-08-11
    產(chǎn)品型號(hào)：PD-InGaAs-300/2600-TO46
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  • MBD-100M-B-FC/APCSi平衡探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APC

    Si平衡探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APC Si平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等特點(diǎn)，可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲，提高系統(tǒng)的信噪比。

    更新時(shí)間：2025-09-04
    產(chǎn)品型號(hào)：MBD-100M-B-FC/APC
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