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  • 320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器

    320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外，還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/p>

    更新時間：2025-11-10
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  • 硅 Silicon 帶放大高速光電探測器 ET-2030A 美國EOT

    硅 Silicon 帶放大高速光電探測器 ET-2030A 美國EOT 產(chǎn)品總覽 筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產(chǎn)品EOT 的放大光電探測器()包含利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流的 PIN 光電二極管和允許測量1 mW 輸入功率的固定增益跨阻放大器。

    更新時間：2024-12-06
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  • 2-12umMCT放大光電探測器靈敏款

    2-12umMCT放大光電探測器靈敏款 2-12um感光范圍，超寬帶紅外測量，靈敏款

    更新時間：2026-01-21
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  • IRD-IGS-10900-1800nm InGaAs超大光敏面PIN光電二極管

    900-1800nm InGaAs超大光敏面PIN光電二極管 筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。 我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率，其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上

    更新時間：2025-09-01
    產(chǎn)品型號：IRD-IGS-10
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  • GESTIN-2TE-TO8-2000900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級TEC冷卻 Φ2mm

    900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級TEC冷卻 Φ2mm GESTIN-2TE-TO8系列單元InGaAs探測器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)InGaAs光敏芯片、過渡電極板、溫度傳感器和兩級熱電冷卻器（2TE）組成，采用TO封裝形式。本用戶手冊僅介紹產(chǎn)品系列。

    更新時間：2025-09-01
    產(chǎn)品型號：GESTIN-2TE-TO8-2000
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