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CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器
CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
product
產(chǎn)品分類| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學(xué)元件 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,電氣,綜合 |
CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器
CITLF3 是一種硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器,用于射電天文學(xué)和量子物理應(yīng)用。當(dāng)冷卻至 12K 或更低時(shí),該放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了 4K (0.06dB) 的平均噪聲溫度。100 MHz 時(shí)的噪聲溫度為 2.5K。典型增益為 33dB,輸入/輸出回波損耗小于 -10dB。放大器是無條件穩(wěn)定的。雖然放大器最 0.01 GHz 至 4 GHz 的頻率范圍,但該放大器可用于 3 MHz 至 5 GHz。 該放大器由單個(gè)正直流電源供電,最佳電壓為 2.0 V。此偏置下的功耗為 27 mW。然而,在低至 5 mW 的功耗下可以接收到良好的噪聲溫度。低功耗非常適合以 4K 運(yùn)行的多放大器陣列。 放大器為 20.7 mm x 15.9 mm x 8.7 mm,不包括連接器。輸入和輸出母頭 SMA 連接器。
主要特點(diǎn)
非常低的噪聲,在 10 MHz 至 4 GHz 范圍內(nèi)平均為 4K。
由單個(gè)正直流電源供電。
以低至 5 mW 的直流功率提供可用增益和噪聲。
2 針 Winchester DC 連接器。
可選的直流偏置三通。
可選輸入保護(hù)二極管。
尺寸 2.07 厘米 x 1.59 厘米 x 0.87 厘米。
性能特點(diǎn)@12K
射頻頻率 0.01 至 4.0GHz
獲得
35dB±3dB
噪音溫度<4K
噪聲系數(shù)<0.06dB
最佳直流電源
Vd=2.0V
ID=13.6mA
CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器








