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當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心光學(xué)有源器件電信號(hào)放大器CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器

CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器
產(chǎn)品總覽
CITLF3 是一種硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器,用于射電天文學(xué)和量子物理應(yīng)用。當(dāng)冷卻至 12K 或更低時(shí),該放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了 4K (0.06dB) 的平均噪聲溫度。

產(chǎn)品型號(hào):
更新時(shí)間:2026-06-08
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
訪問量:1517
詳細(xì)介紹在線留言
品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
組件類別光學(xué)元件應(yīng)用領(lǐng)域電子/電池,電氣,綜合

CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器

產(chǎn)品總覽

CITLF3 是一種硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器,用于射電天文學(xué)和量子物理應(yīng)用。當(dāng)冷卻至 12K 或更低時(shí),該放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了 4K (0.06dB) 的平均噪聲溫度。100 MHz 時(shí)的噪聲溫度為 2.5K。典型增益為 33dB,輸入/輸出回波損耗小于 -10dB。放大器是無條件穩(wěn)定的。雖然放大器最 0.01 GHz 至 4 GHz 的頻率范圍,但該放大器可用于 3 MHz 至 5 GHz。 該放大器由單個(gè)正直流電源供電,最佳電壓為 2.0 V。此偏置下的功耗為 27 mW。然而,在低至 5 mW 的功耗下可以接收到良好的噪聲溫度。低功耗非常適合以 4K 運(yùn)行的多放大器陣列。 放大器為 20.7 mm x 15.9 mm x 8.7 mm,不包括連接器。輸入和輸出母頭 SMA 連接器。

通用參數(shù)

主要特點(diǎn)

非常低的噪聲,在 10 MHz 至 4 GHz 范圍內(nèi)平均為 4K。

由單個(gè)正直流電源供電。

以低至 5 mW 的直流功率提供可用增益和噪聲。

2 針 Winchester DC 連接器。

可選的直流偏置三通。

可選輸入保護(hù)二極管。

尺寸 2.07 厘米 x 1.59 厘米 x 0.87 厘米。


性能特點(diǎn)@12K

射頻頻率 0.01 至 4.0GHz

獲得

35dB±3dB

噪音溫度<4K

噪聲系數(shù)<0.06dB

最佳直流電源

Vd=2.0V

ID=13.6mA



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